第三代半導(dǎo)體材料:國(guó)產(chǎn)企業(yè)奮起直追的最理想跳板
2020/9/16 11:00:34|3796
第三代半導(dǎo)體隨著近幾年的快速發(fā)展,在投資熱潮過(guò)后,逐漸有相應(yīng)的產(chǎn)品進(jìn)入到大眾的生活里面。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),第三代半導(dǎo)體是指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、金剛石、氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與我們熟悉的傳統(tǒng)第一代、第二代半導(dǎo)體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,使其在光電器件、電力電子、射......