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COOLMOS在電源上的應(yīng)用已經(jīng)初具規(guī)模，做為電源工程師，在電源開(kāi)發(fā)的過(guò)程中選用COOLMOS應(yīng)該注意什么呢？ COOLMOS與VDMOS的結(jié)構(gòu)差異 為了克服傳統(tǒng)MOS導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾，一些人在VDMOS基礎(chǔ)上提出了一種新型的理想器件結(jié)構(gòu)，稱(chēng)為超結(jié)器件或COOLMOS，COOLMOS的結(jié)構(gòu)如圖2所示，其由一些列的P型和N型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí)，由于P型和N型層中的耗盡區(qū)電......

2012年3月26日，測(cè)試應(yīng)用中心引進(jìn)國(guó)內(nèi)首臺(tái)最高可測(cè)試2500伏IGBT、MOSFET、二極管、功率三極管等動(dòng)態(tài)參數(shù)的尖端測(cè)試設(shè)備—ITC57300動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，進(jìn)一步完善了測(cè)試應(yīng)用中心實(shí)驗(yàn)室的測(cè)試能力。該設(shè)備由美國(guó)ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)，是一款高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)試架構(gòu)，最高測(cè)試電流可以達(dá)到400A，實(shí)現(xiàn)不同類(lèi)型、同類(lèi)型不同封裝、同類(lèi)型同......

精確地測(cè)量電源紋波本身就是一門(mén)藝術(shù)。在圖6.1所示的示例中，一名初級(jí)工程師完全錯(cuò)誤地使用了一臺(tái)示波器。他的第一個(gè)錯(cuò)誤是使用了一支帶長(zhǎng)接地引線的示波器探針；第二個(gè)錯(cuò)誤則是將探針形成的環(huán)路和接地引線均置于電源變壓器和開(kāi)關(guān)元件附近；最后一個(gè)錯(cuò)誤是允許示波器探針和輸出電容之間存在多余電感。該問(wèn)題在紋波波形中表現(xiàn)為高頻拾取。在電源中，存在大量可以很輕松地與探針耦合的高速、大信號(hào)電壓和電流波形，其中包括耦合自......

高電壓MOSFET技術(shù)在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了很大變化，給電源工程師帶來(lái)了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達(dá)成其應(yīng)用的效率和成本目標(biāo)。了解不同MOSFET部件的細(xì)微差別及不同開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)力，能夠幫助工程師避免諸多問(wèn)題。本文除介紹簡(jiǎn)單的導(dǎo)通阻抗RDS(on) 以及其它MOSFET相關(guān)元素之外，并會(huì)探討更高電流密度與更快開(kāi)關(guān)速度及的意義，提供使用更先進(jìn)的MOSFE......

隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。本文將討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標(biāo)來(lái)選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOS......