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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是能源變換與傳輸?shù)暮诵陌雽w器件，屬于國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，因其同時具有MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動功率和GTR的低導通壓降的優(yōu)點，被廣泛應用于直流電壓600V及以上的大功率電力電子系統(tǒng)中，如變頻器、開關(guān)電源、照明系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車以及新能源裝備等領(lǐng)域。 IGBT驅(qū)動模塊作為IGBT穩(wěn)定工作的......

4月19日，“西安寬禁帶半導體應用研究中心”發(fā)布了基于SIP工藝的超小體積非隔離模塊電源，改變了業(yè)內(nèi)對模塊電源外觀的固有認知，讓模塊電源以IC的形貌展現(xiàn)出來，在業(yè)界引起了轟動。 近日，“西安寬禁帶半導體應用研究中心”又推出了第二款基于SIP工藝的S系列模塊電源產(chǎn)品。S系列模塊電源產(chǎn)品是“西安寬禁帶半導體應用研究中心”在SIP工藝平臺下推出的第二款模塊電源產(chǎn)品，該款產(chǎn)品為隔離定壓系列產(chǎn)品。 “西......

近日，“西安寬禁帶半導體應用研究中心”基于SIP工藝的超小體積模塊電源的成功發(fā)布，引起業(yè)界的廣泛關(guān)注?！拔靼矊捊麕О雽w應用研究中心”坐落于西安高新區(qū)，該研究中心致力于開關(guān)電源新拓撲、新封裝、新器件、新應用的研究，旨在加速寬禁帶產(chǎn)品在開關(guān)電源中的應用進程，依靠新器件、新封裝、新技術(shù)來提升開關(guān)電源的功率密度及能效等級。 “西安寬禁帶半導體應用研究中心”本次發(fā)布的模塊電源型號為SW78XX系列，其輸入......

西安寬禁帶半導體應用研究中心近日發(fā)布了60W超小體積 GaN PD適配器DEMO，宣稱該適配器DEMO是目前市面上最小方形結(jié)構(gòu)的PD充電器產(chǎn)品，該產(chǎn)品如果能得到產(chǎn)品化推廣，會給終端客戶攜帶帶來極大的便利。西安功率器件測試應用中心作為第三方機構(gòu)，帶大家一起來看看西安寬禁帶半導體應用研究中心該款60W PD適配器DEMO性能到底如何。 “西安寬禁帶半導體應用研究中心”是坐落于西安環(huán)普高新科技產(chǎn)業(yè)園的一......

毋庸置疑，第三代半導體最近真的很火。相關(guān)股市板塊逆勢而上，26只第三代半導體概念股半個月的總市值就漲了100億元以上，股價漲幅最高者超100%。從投資來看，進入2020年以來，已有8家半導體企業(yè)共計預投資大約430多億，第三代半導體項目在國內(nèi)已處于火熱階段。 而真正的大火，來自于媒體消息，中國正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中，計劃在2021到2025年的五年之內(nèi)，在教......

第三代半導體隨著近幾年的快速發(fā)展，在投資熱潮過后，逐漸有相應的產(chǎn)品進入到大眾的生活里面。簡單來說，第三代半導體是指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、金剛石、氧化鋅（ZnO）為代表的寬禁帶半導體材料。與我們熟悉的傳統(tǒng)第一代、第二代半導體材料硅（Si）和砷化鎵（GaAs）相比，第三代半導體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，使其在光電器件、電力電子、射......

今天的市場需求越來越苛刻。復雜的電子設(shè)備和(輔助)系統(tǒng)在飛機、火車、卡車、乘用車以及建筑基礎(chǔ)設(shè)施、制造設(shè)備、醫(yī)療系統(tǒng)等重要應用領(lǐng)域為我們服務(wù)。高可靠性(產(chǎn)品在期望的生命周期內(nèi)滿足客戶環(huán)境中所有需求的能力)正變得越來越重要。大數(shù)據(jù)和人工智能正使人類更加依賴電子系統(tǒng)，并將使可靠性不足變得更加致命。在最近的DesignCon 2020上，我有機會了解了ANSYS是如何讓工程師設(shè)計出高可靠性的產(chǎn)品的。 A......

最近一系列事件再次表明，制約中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要因素已集中到制造能力。如何快速提升制造能力，推動芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展？只有不斷地研發(fā)和創(chuàng)新。 在芯片界，摩爾定律一直占據(jù)統(tǒng)治地位。摩爾定律接下來是終結(jié)還是延續(xù)，已成為過去十年芯片界熱議的話題。摩爾定律自1965年發(fā)明以來，一直引領(lǐng)著世界半導體產(chǎn)業(yè)向?qū)崿F(xiàn)更低的成本、更強的性能、更高的經(jīng)濟效益的目標前進。然而，隨著半導體技術(shù)逐漸逼近硅工藝尺寸極限，原摩爾定律導......

在電動汽車驅(qū)動控制器中，逆變器是實現(xiàn)能量交直流轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵部件，用于電機的驅(qū)動或制動時的能量回收。市場對于控制器的能量傳輸效率、功率密度、價格等方面的要求越來越高。而功率模塊又是逆變器實現(xiàn)高傳輸效率、高功率密度的關(guān)鍵器件，目前電動汽車驅(qū)動逆變器絕大部分是基于傳統(tǒng)Si（硅）器件IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊的設(shè)計，存在開關(guān)頻率低、損耗大的缺點，制約了電動汽車驅(qū)動器功率密度的提高。 SiC（碳化......

失效分析（Failure Analysis）是對已失效的器件進行的一種事后檢查。根據(jù)需要，使用電測試以及顯微形貌分析、結(jié)構(gòu)分析、物理性能探測、微成分分析等一系列分析手段，確定其失效模式，找出失效機理，定義其失效原因。本文主要介紹失效分析的一些概念及失效分析的部分分析手段。 1、失效分析的作用和意義 失效分析是提高電子元器件可靠性的必要手段和途徑。電子元器件可靠性工作主要包括兩方面：一是評價可......

器件規(guī)格書的幾頁英文數(shù)據(jù)看得眼花繚亂了吧，今天小編給大家逐條詳細解讀MOSFET參數(shù)，老板再也不會擔心我選器件的能力了，yeah！ Absolute maximum ratings 標識 參數(shù) 中文描述 應用系統(tǒng)關(guān)聯(lián)參數(shù)解讀 VDSS Drain to Source Voltage......

芯派科技新能源汽車動力控制研究中心在2019年訂購了一臺電源電驅(qū)產(chǎn)品測試系統(tǒng)—250kW電力測功機系統(tǒng)。該系統(tǒng)的購置將為半導體企業(yè)及新能源汽車模塊產(chǎn)品測試提供完善的測試服務(wù)并助力國內(nèi)新能源汽車企業(yè)發(fā)展。 電源電驅(qū)產(chǎn)品測試系統(tǒng) 250kW電力測功機系統(tǒng)符合并滿足國家電動汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)測試相關(guān)標準：GB/T 18488-2015 電動汽車驅(qū)動電機系統(tǒng)技術(shù)條件與試驗方法、GB/T 29307-201......