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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是能源變換與傳輸?shù)暮诵陌雽?dǎo)體器件，屬于國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，因其同時(shí)具有MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于直流電壓600V及以上的大功率電力電子系統(tǒng)中，如變頻器、開關(guān)電源、照明系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車以及新能源裝備等領(lǐng)域。

IGBT驅(qū)動(dòng)模塊作為IGBT穩(wěn)定工作的核心驅(qū)動(dòng)管理器件，在整個(gè)系統(tǒng)工作中有極其重要的意義，目前國際上比較著名的IGBT驅(qū)動(dòng)模塊企業(yè)有Mitsubishi、CONCEPT（PI）等企業(yè)，近日西安寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用研究中心成功研發(fā)了混合集成型大功率IGBT驅(qū)動(dòng)模塊SW57962，可完美兼容Mitsubishi的M57962，滿足600V、1200V、1700V等大功率單管IGBT驅(qū)動(dòng)需求，最大可驅(qū)動(dòng)600A的IGBT單管。 

SW57962內(nèi)部采用高隔離電壓、高共模抑制比的光電隔離器，耐壓可達(dá)3750V。同時(shí)SW57962兼容TTL電平和CMOS信號兩種輸入，最高工作頻率為40KHz，同時(shí)具備過流保護(hù)、故障輸出、盲區(qū)可調(diào)、過流軟關(guān)斷、固定周期復(fù)位等完善的保護(hù)功能。

SW57962的尺寸為50mm*25mm，采用SIP的管腳封裝形式，共有腳位14個(gè)，其中11，12管腳為空置狀態(tài)，各PIN腳之間的距離為2.54mm，各PIN腳功能定義如下：

從SW57962的內(nèi)部原理功能框圖可以看出SW57962主要功能塊由四部分組成，分別是光耦隔離電路、過流檢測電路、門極關(guān)斷電路、延遲復(fù)位電路等單元組成。光耦隔離電路主要用于驅(qū)動(dòng)信號的電氣隔離及信號傳輸?shù)淖饔?；過流檢測電路用于IGBT過流信號的檢測，具體閾值可進(jìn)行外部調(diào)節(jié)；門級關(guān)斷電路主要作用為異常條件下對IGBT驅(qū)動(dòng)進(jìn)行關(guān)斷，同時(shí)將該異常信號輸出反饋至控制級；延遲復(fù)位電路主要用于故障信號去除后進(jìn)行延遲復(fù)位，使得驅(qū)動(dòng)信號恢復(fù)正常，達(dá)到軟開啟的效果。

下圖為SW57962的典型應(yīng)用圖，其中U1為故障信號傳輸隔離光耦，Vin為驅(qū)動(dòng)信號輸入端口。在實(shí)際使用中可根據(jù)實(shí)際需求調(diào)整外部參數(shù)及電路，從而達(dá)到與系統(tǒng)最優(yōu)的匹配效果。

SW57962作為“西安寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用研究中心”研發(fā)的第一款外置驅(qū)動(dòng)電源的IGBT驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，其保護(hù)功能完善、可靠性高、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，可完全兼容三菱的M57962，客戶可直接更換進(jìn)行驗(yàn)證使用。西安寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用研究中心還有多款I(lǐng)GBT驅(qū)動(dòng)器及IGBT模組驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品正在研發(fā)中，后期可提供外置電源的大功率IGBT驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)置電源的大功率IGBT驅(qū)動(dòng)器、IGBT模組驅(qū)動(dòng)器等系列化的IGBT驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，滿足客戶各種使用場景的需求。