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自1986年起長期從事電子科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的教學(xué)與研究工作，側(cè)重于電力電子器件及其應(yīng)用的基礎(chǔ)研究和新技術(shù)開發(fā)。近年來，以寬禁帶半導(dǎo)體SiC電力電子器件的創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造為主要方向，自主研發(fā)的SiC肖特基勢壘二極管，代工流片已實現(xiàn)了650V/50A和1200V/30A兩種產(chǎn)品的試制；SiC-GTO、SiC光控晶閘管的設(shè)計和試制等。與企業(yè)合作開展了Si-IGBT與SiC-SBD的混合模塊和全SiC功率MOS與SBD模塊及其驅(qū)動電路的研發(fā)工作。

研究方向：

1. 新型半導(dǎo)體材料與器件

2.SiC材料、SiC電力電子器件及其模塊的設(shè)計制造。

獲獎情況：
科研上先后承擔(dān)過國家“863”項目、國家自然科學(xué)基金、中國博士后基金、教育部博士點基金、國防科技重點實驗室基金、省部級科技創(chuàng)新項目、企業(yè)委托項目30余項。發(fā)表科研論文80篇，其中被SCI、EI等檢索收錄70篇；獲原機(jī)械部、國土資源部、陜西省人民政府、西安市人民政府和陜西省教育廳等科技進(jìn)步獎6項；獲批專利12項。
現(xiàn)擔(dān)任中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子學(xué)會理事、?？茖W(xué)研究專門委員會委員、院級學(xué)術(shù)委員會委員、?！靶滦碗娏﹄娮优c功率集成工程技術(shù)中心”主任、《Chin. Phys. Lett.》、《Chin. Phys. B》、《半導(dǎo)體學(xué)報》、《高電壓技術(shù)》、ELSEVIER系列期刊特約審稿人。