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在制造業(yè)技術(shù)浪潮推動(dòng)下，中國(guó)傳統(tǒng)制造行業(yè)趨向電動(dòng)化和智能化升級(jí)，對(duì)能源的轉(zhuǎn)換效率和電能利用效率均提出了更高的要求。中國(guó)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)技術(shù)提升的推進(jìn)以及下游應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋廣泛對(duì)需求的拉動(dòng)，都促進(jìn) IGBT 行業(yè)的快速發(fā)展。

中國(guó)IGBT 行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模由 2014 年的 79.8 億元增長(zhǎng)到2018 年的 159.6 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 18.9%。未來(lái)中國(guó) IGBT 行業(yè)市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到 2023 年中國(guó) IGBT 行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 290.8 億元，市場(chǎng)前景廣闊。

下面就對(duì)IGBT行業(yè)展開(kāi)分析。

電力電子行業(yè)心臟「IGBT」，為何能快速成長(zhǎng)為百億級(jí)賽道?

一、 IGBT行業(yè)市場(chǎng)研究綜述

(一) IGBT定義及分類

1. 定義

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種由雙極性晶體管(BJT)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼并了BJT的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小等優(yōu)點(diǎn)和MOS的開(kāi)關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領(lǐng)域較為理想的開(kāi)關(guān)器件。

2. 分類

(1)按電壓范圍分類

按照使用電壓范圍，可以將IGBT 分為超低壓、低壓、中壓和高壓幾大類產(chǎn)品，不同電壓范圍對(duì)應(yīng)著不同的應(yīng)用場(chǎng)景。

(2)按產(chǎn)品類型分類

IGBT從封裝形式分類可以分為IGBT單管(分立器件)、IGBT模塊和IGBT-IPM智能功率模塊三大類產(chǎn)品。

(二) IGBT行業(yè)發(fā)展歷程

IGBT 芯片是 IGBT 模組或分立器件的核心，經(jīng)歷了六代產(chǎn)品升級(jí)。第一代 IGBT 芯片研發(fā)于 1988 年，IGBT 芯片從第一代平面穿通型(PT)發(fā)展到第六代溝槽型電場(chǎng)-截止型(FS-Trench)，經(jīng)過(guò)近三十年發(fā)展。

1. IGBT初步問(wèn)世階段(1980s-1991年)

20世紀(jì)80年代至90年代初期間，IGBT芯片研發(fā)問(wèn)世并經(jīng)歷兩代技術(shù)更迭。20 世紀(jì) 80 年代初期，在美國(guó)通用電氣公司和美國(guó)無(wú)線電公司宣布發(fā)明 IGBT 后，得到世界半導(dǎo)體廠家和研究機(jī)構(gòu)的重視。1988年第一代平面穿通型(PT)型的 IGBT 芯片(PT-IGBT)問(wèn)世，但這一時(shí)期的 PT-IGBT 芯片導(dǎo)通電阻和關(guān)斷功耗較高，具有負(fù)溫度系數(shù)，不利于器件的并聯(lián)使用，易造成器件的短路能力較差，因此第一代平面穿通型(PT)的 IGBT 芯片未能得到普及使用。而后1990年，IGBT 研究人員在第一代基礎(chǔ)上發(fā)明第二代改進(jìn)后的平面穿通型(PT)IGBT 芯片，不但可以降低器件的通態(tài)降壓，還可降低晶體管發(fā)射結(jié)的注入系數(shù)，運(yùn)用效果顯著。

2. IGBT指標(biāo)優(yōu)化階段(1992-2003年)

這一階段，IGBT從第三代溝槽型(Trench)到第六代溝槽型電場(chǎng)—截止型(FS-Trench)，各方面指標(biāo)都得到了不斷的優(yōu)化。芯片面積縮小為最初的四分之一，工藝線寬從5微米降到0.5微米，通態(tài)飽和壓降從3伏降到1伏，關(guān)斷時(shí)間也更快，從0.5微秒降到0.15微秒，功率損耗也更低，斷態(tài)電壓也從600V提高到了6500V以上。

3. IGBT應(yīng)用普及階段(2003年至今)

經(jīng)歷六代技術(shù)更迭之后，IGBT發(fā)展態(tài)勢(shì)良好，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。現(xiàn)在，大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，現(xiàn)在已制造出集成化的IGBT專用驅(qū)動(dòng)電路，其性能更好，整機(jī)的可靠性更高及體積更小。IGBT產(chǎn)品的制造成本、可靠性和性能方面得到大幅度改善，成為了電力電子技術(shù)第三代平臺(tái)性器件，被廣泛用于家用電器和交通運(yùn)輸?shù)雀鱾€(gè)領(lǐng)域，推動(dòng)了 IGBT 行業(yè)發(fā)展。

(三) IGBT行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模

1.全球IGBT行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模

受益于工業(yè)控制及電源行業(yè)市場(chǎng)的逐步回暖，以及下游的變頻家電、新能源汽車等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，IGBT 市場(chǎng)有望持續(xù)增長(zhǎng)。根據(jù)英飛凌年報(bào)披露，2016-2018年，全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模分別達(dá)到 45.1、52.6、62.2 億美元，同比增速分別為 6.6%、16.5%、18.4%，全球市場(chǎng)加速增長(zhǎng);預(yù)計(jì)2023年全球 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約120億美元，并且未來(lái)市場(chǎng)規(guī)模有望保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。

2.中國(guó)IGBT行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模

在中國(guó)“工業(yè) 4.0”趨勢(shì)和“中國(guó)制造 2025”發(fā)展規(guī)劃的帶動(dòng)下，中國(guó)制造業(yè)進(jìn)入了快速發(fā)展階段。在制造業(yè)技術(shù)浪潮推動(dòng)下，中國(guó)傳統(tǒng)制造行業(yè)趨向電動(dòng)化和智能化升級(jí)，如汽車發(fā)展到新能源汽車、鐵路發(fā)展到磁懸浮高鐵、電網(wǎng)發(fā)展到智能電網(wǎng)，對(duì)能源的轉(zhuǎn)換效率和電能利用效率均提出了更高的要求。由于 IGBT 具有能源轉(zhuǎn)換和高效節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，因此在電力電子設(shè)備應(yīng)用的比例也在不斷提高，為中國(guó) IGBT 行業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了良好發(fā)展機(jī)遇。根據(jù)頭豹數(shù)據(jù)顯示，中國(guó) IGBT 行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模由 2014 年的 79.8 億元增長(zhǎng)到 2018 年的 159.6 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 18.9%。未來(lái)中國(guó) IGBT 行業(yè)市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2023 年中國(guó) IGBT 行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 290.8 億元，市場(chǎng)前景廣闊。

(四) IGBT行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析

中國(guó) IGBT 行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈由上至下可分為上游基礎(chǔ)資源供應(yīng)商，中游 IGBT 生產(chǎn)商，下游應(yīng)用領(lǐng)域終端用戶。

1.上游分析

中國(guó) IGBT 行業(yè)的上游參與者為EDA軟件、IP授權(quán)的設(shè)計(jì)工具，硅晶圓、封裝材料等原材料供應(yīng)商和光刻機(jī)、檢測(cè)設(shè)備等設(shè)備供應(yīng)商。硅晶圓是 IGBT 生產(chǎn)的主要原材料之一，在 IGBT 材料生產(chǎn)成本中占比達(dá)到30%左右。除此之外，封裝材料是 IGBT 生產(chǎn)的另一種主要原料，可分為塑料封裝、環(huán)氧樹(shù)脂封裝、陶瓷封裝和金屬封裝四種。整體而言，中國(guó) IGBT 生產(chǎn)商對(duì)進(jìn)口材料依賴性較大，因此在上游原材料環(huán)節(jié)的議價(jià)能力較弱。在 IGBT 設(shè)備供應(yīng)商方面，IGBT 芯片是 IGBT 模組或分立器件的核心，光刻機(jī)是 IGBT芯片制造的核心設(shè)備之一，而高端光刻機(jī)市場(chǎng)已經(jīng)被荷蘭 ASML壟斷。由此可見(jiàn)，中國(guó)在光刻機(jī)市場(chǎng)方面的優(yōu)勢(shì)不明顯，競(jìng)爭(zhēng)能力較弱，國(guó)外光刻機(jī)廠商的議價(jià)空間相對(duì)較大。

2.中游分析

中國(guó) IGBT 行業(yè)的中游是 IGBT 生產(chǎn)商，主要負(fù)責(zé) IGBT 模組或分立器件產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和銷售。由于 IGBT 產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造工藝精密，這不僅要求 IGBT 生產(chǎn)商需要具備一定的生產(chǎn)工藝水平，也要求 IGBT 生產(chǎn)商的研發(fā)人員具有電力電子、力學(xué)、熱學(xué)等多學(xué)科的知識(shí)和制造、測(cè)試的操作經(jīng)驗(yàn)。

目前全球 IGBT 生產(chǎn)商主要以德國(guó)英飛凌、德國(guó)賽米控和日本三菱電機(jī)、富士電機(jī)為主，且這些廠商生產(chǎn)的 IGBT 產(chǎn)品覆蓋應(yīng)用面廣。中國(guó) IGBT 生產(chǎn)商主要是以具體某個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橹?，如斯達(dá)半導(dǎo)體的 IGBT 在大功率軌道交通領(lǐng)域已得到突破，比亞迪的 IGBT 在自家新能源汽車上已實(shí)現(xiàn)運(yùn)用。中國(guó) IGBT 行業(yè)領(lǐng)先的企業(yè)擁有較強(qiáng)向上游滲透的意愿，未來(lái)，產(chǎn)業(yè)鏈中游規(guī)模較大的 IGBT 生產(chǎn)商發(fā)展空間將逐步增大。

3.下游分析

中國(guó) IGBT 產(chǎn)業(yè)的下游應(yīng)用廣泛，可大致分為民用領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域。民用領(lǐng)域包括電壓力鍋、電烤箱、電視機(jī)等變頻白色家電行業(yè);工業(yè)領(lǐng)域包括工業(yè)電機(jī)、汽車電子、電力設(shè)備等行業(yè)。隨著中國(guó)國(guó)民收入水平的提升和消費(fèi)水平的提高，以及中國(guó)制造4.0的推進(jìn)，IGBT在民用領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域的需求及要求不斷提升。下游應(yīng)用領(lǐng)域不僅要求 IGBT 生產(chǎn)商能夠提供種類較全的 IGBT 產(chǎn)品，也要求 IGBT 生產(chǎn)商具有能夠與下游應(yīng)用產(chǎn)品融合的能力。整體而言，下游應(yīng)用領(lǐng)域的需求對(duì) IGBT 生產(chǎn)商技術(shù)研發(fā)具有重要的推動(dòng)作用，因此在產(chǎn)業(yè)鏈中的議價(jià)能力也將不斷提高。

二、 IGBT行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素分析

(一) 下游應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋廣泛，拉動(dòng)行業(yè)需求

IGBT下游應(yīng)用廣泛，下游需求逐步擴(kuò)大，促進(jìn) IGBT行業(yè)的快速發(fā)展。IGBT下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，汽車行業(yè)、消費(fèi)電子行業(yè)、能源行業(yè)、電機(jī)行業(yè)等都需要利用 IGBT來(lái)提高能源使用效率。同時(shí)，對(duì)于高功耗損耗的電子制造設(shè)備，IGBT不僅能夠保障設(shè)備工作時(shí)的可靠性和安全性，還能對(duì)設(shè)備起到節(jié)能減排作用。此外，得益于中國(guó)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，中國(guó)電源、能源等行業(yè)發(fā)展環(huán)境良好，為 IGBT 行業(yè)帶來(lái)更大的需求。新能源汽車領(lǐng)域需求的快速增長(zhǎng)是高端 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)最重要的驅(qū)動(dòng)因素之一，根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)統(tǒng)計(jì)，2018 年應(yīng)用于新能源汽車的車規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)IGBT整體市場(chǎng)規(guī)模的 31%。

(二) “中國(guó)制造 2025”驅(qū)動(dòng)下游轉(zhuǎn)型升級(jí)，帶動(dòng)行業(yè)需求

目前中國(guó)制造業(yè)正逐漸從低端加工向高端附加值轉(zhuǎn)變，驅(qū)動(dòng)了 IGBT 行業(yè)下游轉(zhuǎn)型升級(jí)。2015 年 5 月，中國(guó)國(guó)務(wù)院發(fā)布《中國(guó)制造 2025》，指出要全面提升中國(guó)制造業(yè)發(fā)展質(zhì)量和水平，推進(jìn)中國(guó)制造業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，提升“中國(guó)制造”品牌塑造能力。近幾年，各國(guó)都在陸續(xù)推出禁止燃油車銷售時(shí)間表，部分車企生產(chǎn)商也宣布了停售燃油車時(shí)間，推動(dòng)了中國(guó)汽車行業(yè)逐步向新能源汽車轉(zhuǎn)型，IGBT 模塊在新能源汽車中發(fā)揮著重要的作用，是新能源汽車和智能汽車電機(jī)控制器、充電樁、車載空調(diào)等設(shè)備的核心元器件。如在新能源汽車充電時(shí)，IGBT 的作用不僅是將外界充電的交流電轉(zhuǎn)換為直流電，還需把220V 電壓轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾妷?，才可為新能源汽車電池組充電。中國(guó)制造業(yè)發(fā)展環(huán)境鼓勵(lì)傳統(tǒng)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，帶動(dòng) IGBT 的應(yīng)用需求不斷增加，IGBT 行業(yè)迎來(lái)新的發(fā)展空間。

(三) 中國(guó) IGBT 技術(shù)提升，推動(dòng)行業(yè)發(fā)展

中國(guó) IGBT 行業(yè)取得了一定的技術(shù)進(jìn)步，推動(dòng)了中國(guó) IGBT 國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程。中國(guó) IGBT 行業(yè)發(fā)展較晚，從起步時(shí)期主要依靠向國(guó)外進(jìn)口發(fā)展到如今已具備IGBT 芯片設(shè)計(jì)和 IGBT 模塊或分立器件制造能力，表明中國(guó) IGBT 相關(guān)產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)率逐步提升。在 IGBT 行業(yè)上游領(lǐng)域，中國(guó)在 IGBT 材料和封裝測(cè)試取得較大的發(fā)展與進(jìn)步，中車時(shí)代已建立全球第二條、中國(guó)首條 8 英寸 IGBT 芯片生產(chǎn)線，此條生產(chǎn)線可年產(chǎn) 12 萬(wàn)片芯片，和配套形成年產(chǎn) 100 萬(wàn)只 IGBT 模塊的自動(dòng)化封裝測(cè)試能力，突破了中國(guó)在 IGBT 材料、封裝測(cè)試的技術(shù)瓶頸。此外，在 IGBT 下游應(yīng)用領(lǐng)域，中國(guó)國(guó)內(nèi)高鐵機(jī)車用的高壓、大電流 6,500V IGBT芯片在設(shè)計(jì)和工藝研發(fā)制造技術(shù)上均突破了 IGBT 關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，推動(dòng)了中國(guó) IGBT 行業(yè)發(fā)展。

三、 IGBT行業(yè)制約因素分析

(一) 8 英寸晶圓材料供不應(yīng)求，限制行業(yè)發(fā)展

近年來(lái)，全球硅晶圓材料供貨能力不足，構(gòu)成了制約 IGBT 行業(yè)發(fā)展的一大因素。由于工藝及成本的限制，半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)規(guī)模較難從 8 英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)移到 12 英寸硅晶圓產(chǎn)線，因此，中國(guó)對(duì) 8 英寸硅晶圓材料產(chǎn)能需求迅速擴(kuò)大。從全球 8 英寸晶圓供給情況分析，一方面，在全球電動(dòng)化和智能化的大背景下，功率器件、電源管理芯片及指紋芯片 IC 等應(yīng)用端均采用 8 英寸硅晶圓作為原材料，導(dǎo)致 8 英寸硅晶圓需求量大增，使得 8 英寸硅晶圓代工廠商的產(chǎn)能供不應(yīng)求;另一方面， 8 英寸硅晶圓設(shè)備短缺現(xiàn)象加劇造成其產(chǎn)能擴(kuò)張困難。所以，8 英寸晶圓材料供貨困難在一定程度上制約了行業(yè)發(fā)展。

(二) IGBT 投資成本大，制約行業(yè)發(fā)展

相關(guān)設(shè)備配置成本上升將直接影響中國(guó)IGBT 建設(shè)投資成本上漲，在一定程度上不利于行業(yè)發(fā)展。建設(shè) IGBT 產(chǎn)業(yè)園或 IGBT 晶圓廠涉及到行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的設(shè)備配置，而這些相關(guān)設(shè)備未實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，需要大量依賴國(guó)外進(jìn)口，致使 IGBT 相關(guān)的設(shè)備購(gòu)置成本較高。與此同時(shí)，受中美貿(mào)易戰(zhàn)影響，全球進(jìn)口關(guān)稅波動(dòng)影響較大，對(duì) IGBT 相關(guān)的設(shè)備配置采購(gòu)成本有一定影響，這在一定程度上增加了 IGBT 行業(yè)相關(guān)投資人或企業(yè)對(duì)設(shè)備配置的投資成本，導(dǎo)致 IGBT 相關(guān)投資人或企業(yè)利潤(rùn)空間變小。

(三) 專業(yè)人才不足，制約行業(yè)發(fā)展

IGBT領(lǐng)域的人才供需失衡的矛盾正日益凸顯，阻礙了行業(yè)的發(fā)展。IGBT 行業(yè)是技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，對(duì)多學(xué)科交叉的復(fù)合型人才需求較大，因此 IGBT 產(chǎn)品的制造需要各類專業(yè)技術(shù)工程人才和復(fù)合型人才。IGBT 行業(yè)與集成電路行業(yè)、微電子行業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈上游存在著高度關(guān)聯(lián)性，但中國(guó)大部分高校以 SIC、GaN 器件及電源管理芯片作為課題方向，僅有少數(shù)高校進(jìn)行 IGBT 器件相關(guān)的教學(xué)。同時(shí)，這些高校在 IGBT 器件研發(fā)主要限于計(jì)算機(jī)仿真研究，難以在實(shí)際中進(jìn)行應(yīng)用，導(dǎo)致中國(guó)在 IGBT 設(shè)計(jì)和研發(fā)方面人才的緊缺，供需失衡制約行業(yè)發(fā)展。

四、 IGBT行業(yè)政策因素分析

IGBT 行業(yè)是中國(guó)重點(diǎn)鼓勵(lì)和扶持的產(chǎn)業(yè)之一，為扶持中國(guó) IGBT 行業(yè)的發(fā)展，推動(dòng)中國(guó) IGBT 行業(yè)自主化進(jìn)程，中國(guó)政府推出多項(xiàng)相關(guān)政策促進(jìn) IGBT 產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

五、 IGBT行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

(一)國(guó)內(nèi)外 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)上升

未來(lái)中國(guó) IGBT 行業(yè)市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)，市場(chǎng)前景廣闊。IGBT 是誕生于 20 世紀(jì) 80 年代的功率半導(dǎo)體分立器件，進(jìn)入工業(yè)應(yīng)用時(shí)間較晚，雖然目前占整體功率半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)份額仍然不大，但它代表了未來(lái)的發(fā)展方向，市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)很快。在新能源、節(jié)能環(huán)?！笆濉币?guī)劃等一系列國(guó)家政策措施的支持下，國(guó)內(nèi)IGBT 的發(fā)展亦獲得巨大的推動(dòng)力，市場(chǎng)持續(xù)快速增長(zhǎng)。2018 年，國(guó)內(nèi) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 159.6 億元，2014-2018年的年復(fù)合增長(zhǎng)率為 18.9%，預(yù)計(jì)到 2023 年中國(guó) IGBT 行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 290.8 億元。

(二)行業(yè)趨向模塊化和小型化發(fā)展

IGBT 下游應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品逐步趨向輕量化，推動(dòng) IGBT 行業(yè)向模塊化發(fā)展。IGBT 行業(yè)的制造技術(shù)是以微細(xì)加工和MOS 工藝為基礎(chǔ)，因此采用模塊化設(shè)計(jì)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的 IGBT 生產(chǎn)技術(shù)，可將 IGBT 基本相同的構(gòu)件、零部件制成多功能和通用標(biāo)準(zhǔn)模塊，模塊化和小型化有助于IGBT 企業(yè)降低生產(chǎn)成本，各應(yīng)用領(lǐng)域要求 IGBT 模組和分立器件尺寸不斷縮小，提高通用化效率，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)的高效性和經(jīng)濟(jì)性，所以是行業(yè)的必然發(fā)展趨勢(shì)之一。

(三)行業(yè)下游消費(fèi)電子和家用電器領(lǐng)域向個(gè)性化需求增長(zhǎng)

行業(yè)下游消費(fèi)電子和家用電器市場(chǎng)將趨向非標(biāo)準(zhǔn)化、定制化的 IGBT 需求增長(zhǎng)，刺激 IGBT 行業(yè)迎來(lái)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。在中國(guó)制造業(yè)供給側(cè)結(jié)構(gòu)升級(jí)的背景下，IGBT 行業(yè)下游應(yīng)用端的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，各企業(yè)正積極尋求差異化優(yōu)勢(shì)，致使下游應(yīng)用端企業(yè)對(duì) IGBT 的技術(shù)工藝和生產(chǎn)工藝等方面的要求不斷往差異化、定制化、個(gè)性化方向發(fā)展。IGBT 生產(chǎn)企業(yè)需要根據(jù)下游消費(fèi)電子、家用電器領(lǐng)域客戶提出的整體生產(chǎn)工藝和定制化設(shè)計(jì)需求，設(shè)計(jì)和制造出符合客戶產(chǎn)品的技術(shù)和生產(chǎn)工藝，同時(shí)還需提供一體化的配套售后服務(wù)和產(chǎn)品升級(jí)服務(wù)等解決方案，促使 IGBT 行業(yè)下游應(yīng)用端產(chǎn)品趨向多樣化。

六、 IGBT行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

(一)全球IGBT行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

縱觀全球 IGBT 行業(yè)，以歐美、日本為主的國(guó)家和地區(qū)占據(jù)絕大部分話語(yǔ)權(quán)，行業(yè)集中度高，競(jìng)爭(zhēng)激烈，頭部效應(yīng)明顯。英飛凌是絕對(duì)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，據(jù)HIS Markit 2018年報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，英飛凌在 2018 年全球IGBT模塊市場(chǎng)中以34.5%的市占率遙居第一，具有絕對(duì)的龍頭地位。此外，市場(chǎng)的主要競(jìng)爭(zhēng)者有不斷革新的日系頂級(jí)玩家三菱電機(jī);車規(guī)級(jí) IGBT 市場(chǎng)的后起之秀比亞迪半導(dǎo)體;國(guó)內(nèi)IGBT龍頭斯達(dá)半導(dǎo)等。

(二)中國(guó)IGBT行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí) IGBT 行業(yè)呈寡頭壟斷格局，英飛凌占近六成市場(chǎng)，比亞迪破局而入，位列第二。根據(jù) NE 時(shí)代數(shù)據(jù)，車規(guī)級(jí) IGBT 行業(yè)集中度極高，CR4 高達(dá) 84.4%，CR2 高達(dá) 76.2%，形成了以英飛凌與比亞迪為主導(dǎo)的“雙寡頭”格局。2019 年英飛凌獨(dú)占鰲頭，以 627503 單位/套的 IGBT 模塊裝機(jī)量占據(jù)了高達(dá) 58.2%的市場(chǎng)份額。作為第一家自主研發(fā)、生產(chǎn)車用 IGBT 芯片的國(guó)內(nèi)公司，比亞迪半導(dǎo)體成為國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上最有能力挑戰(zhàn)英飛凌的本土廠商，但目前其市場(chǎng)份額為18%，仍比英飛凌低40%。斯達(dá)半導(dǎo)為IGBT 行業(yè)國(guó)內(nèi)龍頭，深耕于工業(yè)級(jí) IGBT， 但其在車規(guī)級(jí) IGBT 領(lǐng)域處于起步階段，市占率僅 1.6%。