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全國首臺是德科技keysight針對寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC/GaN MOSFET的動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)——PD1500A日前在芯派科技測試應(yīng)用中心調(diào)試完成，正式投入使用。

由于GaN MOSFET開關(guān)速度快，對動態(tài)測試測試系統(tǒng)寄生電感控制、測試帶寬、器件連接方式等都要求非常高，測試過程中電流和電壓波形非常容易產(chǎn)生強烈的振蕩而影響到測試結(jié)果，甚至造成測試器件損壞，因此第三方實驗室極少能夠提供針對GaN MOSFET的動態(tài)特性測試服務(wù)。

先睹為快，我們先看一下基于PD1500A GaN MOSFET動態(tài)測試結(jié)果，測試器件來自于某國產(chǎn)廠家QFN8*8封裝，規(guī)格為650V 20A。雙脈沖測試波形和開關(guān)特性測試結(jié)果如下圖，測試條件為Vds=400V， Ids=10A，溫度=125℃，雙脈沖波形中CH1：驅(qū)動電流（黃）；CH2：DS電流（綠）；CH3：驅(qū)動電壓（藍）；CH4：DS電壓（紅）。得益于Kesyight專利技術(shù)，GaN雙脈沖驅(qū)動板主功率回路寄生電感僅為3.5nH左右 （包括器件連接以及電流采樣帶來的寄生電感），該測試波形非常理想，幾乎沒有振蕩。

是德科技Keysight PD1500A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

1. 寄生電感小，能可靠可重復(fù)的測量寬禁帶（SiC/GaN）功率器件動態(tài)特征

2. 測量包括開關(guān)特性、反向恢復(fù)、動態(tài)電阻、柵極電荷等動態(tài)特性指標(biāo)

3. 智能化軟件控制，根據(jù)IEC和JEDEC標(biāo)準(zhǔn)要求自動分析測試結(jié)果，并且能夠提供循環(huán)測試、電流電壓步進測試以及自動高溫測試等

4. 同時滿足被測器件和用戶對測試環(huán)境的要求

5. 模塊化平臺可擴展、可升級，能夠?qū)λ泄β势骷M行測試

PD1500A可以滿足SiC/GaN器件的所有動態(tài)參數(shù)測試

GaN MOSFET測試

GaN調(diào)試使用國產(chǎn)廠家主流封裝QFN8*8器件，該器件大量使用在手機快充上，規(guī)格為650V/20A，如下圖所示，測試設(shè)定為Vds=400V，Ids=10A，Vgs=-1~6V，溫度分別測試55℃和125℃。

同時動態(tài)高溫自動測試功能也很強大，可以極大的提高測試效率，同時保證了系統(tǒng)設(shè)置的準(zhǔn)確性。

測試情況：

SiC調(diào)試：

整套測試系統(tǒng)寄生參數(shù)優(yōu)化較好，開通開關(guān)時震蕩輕微，尖峰也被抑制在一個較低的水平，測試結(jié)果與廠家規(guī)范非常接近，測試結(jié)果理想。

西安芯派功率器件測試應(yīng)用中心成立于2011年，占地面積4500平方米，擁有國際先進的儀器設(shè)備300余臺，五十余名經(jīng)驗豐富的工程師為各類客戶提供專業(yè)測試服務(wù)，聘請十余名國內(nèi)高校教授和行業(yè)資深專家，為中心提供高水平的技術(shù)支持。中心在2012年獲得了國家CNAS&國際ILAC認可，也是目前國內(nèi)針對功率器件測試能力最完備的檢測中心，具備第三方檢測資質(zhì)。在此之前實驗室已全面滿足包括硅器件和硅模塊等器件及模塊全參數(shù)的測試需求，具備車規(guī)級半導(dǎo)體器件AECQ101認證能力。此次PD1500A投入使用，使得芯派科技測試應(yīng)用中心車規(guī)級器件的認證能力拓展至第三代半導(dǎo)體（碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN) ）領(lǐng)域。

誠摯歡迎同行們來測試應(yīng)用中心開展各類半導(dǎo)體器件測試！