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隸屬于芯派科技的西安功率器件測(cè)試應(yīng)用中心根據(jù)自身和客戶需求在2019年訂購(gòu)了一臺(tái)國(guó)際知名品牌的微光顯微及激光誘導(dǎo)檢測(cè)設(shè)備！

半導(dǎo)體器件制造技術(shù)飛速發(fā)展，器件的特征尺寸不斷下降，同時(shí)集成度不斷提高。這些變化給器件的失效缺陷定位及失效分析帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)。而微光顯微技術(shù)（EMMI）和激光誘導(dǎo)掃描顯微技術(shù)作為一種高精度的缺陷定位技術(shù)，能夠迅速準(zhǔn)確地進(jìn)行失效缺陷定位，因而在半導(dǎo)體器件的失效分析中得到了廣泛的應(yīng)用。

設(shè)備同時(shí)具備微光顯微能力（EMMI）和激光誘導(dǎo)掃描顯微能力，可用于偵測(cè)各種半導(dǎo)體芯片由于內(nèi)部的微觀缺陷（例如靜電損壞、氧化層缺陷、金屬化布線不合理、閂鎖效應(yīng)等）造成的光子溢出或者激光掃描時(shí)的阻值變化，從而定位異常點(diǎn)的位置，方便確認(rèn)缺陷原因并幫助后續(xù)改善。

微光顯微及激光誘導(dǎo)檢測(cè)設(shè)備

本設(shè)備的微光顯微模塊配備了探測(cè)波長(zhǎng)范圍900~1700nm的InGaAs探測(cè)器，可靈敏地偵測(cè)到半導(dǎo)體芯片中電子空穴再結(jié)合和場(chǎng)加速載流子輻射所產(chǎn)生的光波。隨著半導(dǎo)體芯片的電壓和漏電流的降低，集成電路的缺陷點(diǎn)主要輻射近紅外光，該InGaAs探測(cè)器具有較高的探測(cè)效率的同時(shí)更容易探測(cè)近紅外光。

常見(jiàn)探測(cè)器靈敏度特性比較圖

使用EMMI技術(shù)檢測(cè)到樣品的漏電位置

激光誘導(dǎo)掃描顯微技術(shù)模塊配置了波長(zhǎng)1340nm的激光源及供應(yīng)商公司專有的Laser Pulsing技術(shù)（簡(jiǎn)稱TIVA）。Laser Pulsing技術(shù)主要用于對(duì)檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行放大，Laser Pulsing頻率可達(dá)1-10KHZ。該模塊通過(guò)外部激勵(lì)產(chǎn)生信號(hào)，再通過(guò)激光逐點(diǎn)對(duì)芯片進(jìn)行掃描，掃描過(guò)程中產(chǎn)生熱導(dǎo)效應(yīng)，會(huì)引起電路中電阻的變化，進(jìn)而確定缺陷的位置。

使用TIVA技術(shù)檢測(cè)到樣品的漏電位置

資源優(yōu)勢(shì)

● 配備不同倍率的顯微鏡，放大倍率有1X、2.5X、5X、20X、50X、100X，方便快速準(zhǔn)確定位；

● 配備了8英寸耐高壓探針臺(tái)，最高承載耐壓3000V，移動(dòng)精度0.1um，可以適用于多種產(chǎn)品，例如集成電路和功率器件等的晶圓和單體；

● 配備國(guó)際知名品牌KEITHLEY的高精度電源，電壓施加量程20mV-200V，電流施加量程10nA-1A，電流精度10fA，同時(shí)留有外接窗口方便與不同測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行連接，例如曲線示蹤儀，信號(hào)源等；

● 具有Laser Marker定位模塊，可以快速準(zhǔn)確標(biāo)記異常點(diǎn)位置方便后續(xù)進(jìn)行分析；

● 具有量測(cè)定位網(wǎng)格線、特征點(diǎn)距離量測(cè)等輔助功能，方便識(shí)別或再次確認(rèn)異常點(diǎn)。

     芯派科技失效分析利器-微光顯微及激光誘導(dǎo)檢測(cè)設(shè)備已準(zhǔn)備就緒，持續(xù)接單中......