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全國首臺是德科技keysight針對寬禁帶半導體器件SiC/GaN MOSFET的動態參數測試系統——PD1500A日前在芯派科技測試應用中心調試完成，正式投入使用。

由于GaN MOSFET開關速度快，對動態測試測試系統寄生電感控制、測試帶寬、器件連接方式等都要求非常高，測試過程中電流和電壓波形非常容易產生強烈的振蕩而影響到測試結果，甚至造成測試器件損壞，因此第三方實驗室極少能夠提供針對GaN MOSFET的動態特性測試服務。

先睹為快，我們先看一下基于PD1500A GaN MOSFET動態測試結果，測試器件來自于某國產廠家QFN8*8封裝，規格為650V 20A。雙脈沖測試波形和開關特性測試結果如下圖，測試條件為Vds=400V， Ids=10A，溫度=125℃，雙脈沖波形中CH1：驅動電流（黃）；CH2：DS電流（綠）；CH3：驅動電壓（藍）；CH4：DS電壓（紅）。得益于Kesyight專利技術，GaN雙脈沖驅動板主功率回路寄生電感僅為3.5nH左右 （包括器件連接以及電流采樣帶來的寄生電感），該測試波形非常理想，幾乎沒有振蕩。

是德科技Keysight PD1500A功率器件動態參數測試系統

1. 寄生電感小，能可靠可重復的測量寬禁帶（SiC/GaN）功率器件動態特征

2. 測量包括開關特性、反向恢復、動態電阻、柵極電荷等動態特性指標

3. 智能化軟件控制，根據IEC和JEDEC標準要求自動分析測試結果，并且能夠提供循環測試、電流電壓步進測試以及自動高溫測試等

4. 同時滿足被測器件和用戶對測試環境的要求

5. 模塊化平臺可擴展、可升級，能夠對所有功率器件進行測試

PD1500A可以滿足SiC/GaN器件的所有動態參數測試

GaN MOSFET測試

GaN調試使用國產廠家主流封裝QFN8*8器件，該器件大量使用在手機快充上，規格為650V/20A，如下圖所示，測試設定為Vds=400V，Ids=10A，Vgs=-1~6V，溫度分別測試55℃和125℃。

同時動態高溫自動測試功能也很強大，可以極大的提高測試效率，同時保證了系統設置的準確性。

測試情況：

SiC調試：

整套測試系統寄生參數優化較好，開通開關時震蕩輕微，尖峰也被抑制在一個較低的水平，測試結果與廠家規范非常接近，測試結果理想。

西安芯派功率器件測試應用中心成立于2011年，占地面積4500平方米，擁有國際先進的儀器設備300余臺，五十余名經驗豐富的工程師為各類客戶提供專業測試服務，聘請十余名國內高校教授和行業資深專家，為中心提供高水平的技術支持。中心在2012年獲得了國家CNAS&國際ILAC認可，也是目前國內針對功率器件測試能力最完備的檢測中心，具備第三方檢測資質。在此之前實驗室已全面滿足包括硅器件和硅模塊等器件及模塊全參數的測試需求，具備車規級半導體器件AECQ101認證能力。此次PD1500A投入使用，使得芯派科技測試應用中心車規級器件的認證能力拓展至第三代半導體（碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN) ）領域。

誠摯歡迎同行們來測試應用中心開展各類半導體器件測試！