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隸屬于芯派科技的西安功率器件測試應用中心根據自身和客戶需求在2019年訂購了一臺國際知名品牌的微光顯微及激光誘導檢測設備！

半導體器件制造技術飛速發展，器件的特征尺寸不斷下降，同時集成度不斷提高。這些變化給器件的失效缺陷定位及失效分析帶來了巨大的挑戰。而微光顯微技術（EMMI）和激光誘導掃描顯微技術作為一種高精度的缺陷定位技術，能夠迅速準確地進行失效缺陷定位，因而在半導體器件的失效分析中得到了廣泛的應用。

設備同時具備微光顯微能力（EMMI）和激光誘導掃描顯微能力，可用于偵測各種半導體芯片由于內部的微觀缺陷（例如靜電損壞、氧化層缺陷、金屬化布線不合理、閂鎖效應等）造成的光子溢出或者激光掃描時的阻值變化，從而定位異常點的位置，方便確認缺陷原因并幫助后續改善。

微光顯微及激光誘導檢測設備

本設備的微光顯微模塊配備了探測波長范圍900~1700nm的InGaAs探測器，可靈敏地偵測到半導體芯片中電子空穴再結合和場加速載流子輻射所產生的光波。隨著半導體芯片的電壓和漏電流的降低，集成電路的缺陷點主要輻射近紅外光，該InGaAs探測器具有較高的探測效率的同時更容易探測近紅外光。

常見探測器靈敏度特性比較圖

使用EMMI技術檢測到樣品的漏電位置

激光誘導掃描顯微技術模塊配置了波長1340nm的激光源及供應商公司專有的Laser Pulsing技術（簡稱TIVA）。Laser Pulsing技術主要用于對檢測信號進行放大，Laser Pulsing頻率可達1-10KHZ。該模塊通過外部激勵產生信號，再通過激光逐點對芯片進行掃描，掃描過程中產生熱導效應，會引起電路中電阻的變化，進而確定缺陷的位置。

使用TIVA技術檢測到樣品的漏電位置

資源優勢

● 配備不同倍率的顯微鏡，放大倍率有1X、2.5X、5X、20X、50X、100X，方便快速準確定位；

● 配備了8英寸耐高壓探針臺，最高承載耐壓3000V，移動精度0.1um，可以適用于多種產品，例如集成電路和功率器件等的晶圓和單體；

● 配備國際知名品牌KEITHLEY的高精度電源，電壓施加量程20mV-200V，電流施加量程10nA-1A，電流精度10fA，同時留有外接窗口方便與不同測試平臺進行連接，例如曲線示蹤儀，信號源等；

● 具有Laser Marker定位模塊，可以快速準確標記異常點位置方便后續進行分析；

● 具有量測定位網格線、特征點距離量測等輔助功能，方便識別或再次確認異常點。

     芯派科技失效分析利器-微光顯微及激光誘導檢測設備已準備就緒，持續接單中......